Yongxinsheng DDR3 8 GB 1600 MHz UDIMM RAM (PC3-12800) CL11 240 pinos 1,5 V não-ECC sem buffer compat
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1. Testes rigorosos: testes de compatibilidade foram realizados em placas-me de todas as marcas populares. Observao: Verifique as especificaµes do dispositivo antes de comprar. Por exemplo, modelo de placa me de computador/modelo RAM/slot RAM/frequncia RAM/capacidade mxima de memória compatível. 2. Ampla faixa de tenso: 1,425 V ~ 1,575 V faixa de tenso pode funcionar normalmente, evitando efetivamente flutuao de tenso/envelhecimento da fonte de alimentao do computador, afetando a vida útil da RA
Descrição do Produto
- 1. Testes rigorosos: testes de compatibilidade foram realizados em placas-me de todas as marcas populares. Observao: Verifique as especificaµes do dispositivo antes de comprar. Por exemplo, modelo de placa me de computador/modelo RAM/slot RAM/frequncia RAM/capacidade mxima de memória compatível.
- 2. Ampla faixa de tenso: 1,425 V ~ 1,575 V faixa de tenso pode funcionar normalmente, evitando efetivamente flutuao de tenso/envelhecimento da fonte de alimentao do computador, afetando a vida útil da RAM e eficincia de trabalho. Temporizaµes: CL-11.
- 3. Arquitetura da memória: Adote partículas de memória de alto desempenho Samsung/Hynix/Kingston 512MB * 16 modos de arquitetura, aumenta a dissipao de calor, mais amigável para placa-me antiga/CPU.
- 4. Estabilidade: Grnulo de memória de alto desempenho, distribuio de memória dupla, combinada com um design térmico exclusivo, ampla faixa de tenso, mantendo o melhor em todos os momentos. Segurana: a aparência da rede de liga de alumínio desenhada a calor ajuda a dissipar o calor e evitar eletricidade esttica.
- 5. Se voce tiver alguma dúvida, entre em contato com nossa equipe de servio, resolveremos para voce dentro de 24 horas. Nós apoiamos devoluµes e reembolsos dentro de 30 dias, garantia de 3 anos. Obrigado por nos escolher e desejamos boas compras.
